| Noticias | 25 NOV 2008

La joint-venture de Micron e Intel inicia la producción masiva de chips flash de 34nm

La compañía conjunta creada por Micron Technology e Intel para colaborar en el mercado de chips ha iniciado la producción masiva de chips de memoria flash NAND fabricados utilizando tecnología de 34 nanómetros.
Marta Cabanillas
La joint venture, IM Flash Technologies, espera tener listos el 50% de chips de esta fase de producción, que se llevará a cabo en la fábrica de que dispone en Utah (Estados Unidos), a finales de año.

La cantidad de nanómetros en este contexto describe el tamaño mínimo de los transistores u otras partes que pueden ser fabricados sobre un mismo chip. En un nanómetro (milmillonésima parte de un metro) puede haber entre tres y seis átomos, dependiendo del tipo de éstos.

Algunos fabricantes de chips, como Taiwan Semiconductor Manufacturing (TSMC) y la propia Intel, producen actualmente chips utilizando tecnología de entre 40 y 45 nanómetros, pero los de IM Flash Technologies superan este record. Generalmente cuantos más transistores puedan incluirse sobre un mismo chip y menos espacio los separe, mayor será el rendimiento del procesador y menor el posible tamaño de los productos que los incorporen.

IM Flash espera que sus nuevos chips, que ofrecen 32 GB de memoria NAND, sean utilizados para la creación de pequeñas unidades de estado sólido (SSD) o tarjetas de memoria flash dirigidas a productos como cámaras digitales, pequeñas videocámaras y reproductores de música, entre otros.

Samsung Electronics, el mayor fabricante de chips de memoria flash NAND del mundo, se encuentra actualmente inmersa en el proceso de actualización de sus fábricas para el uso de tecnología de 42 nm, y espera llegar a la producción con 30 nm el próximo año.

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