Industria y Utilities | Noticias | 09 JUL 2015

IBM impulsa el primer chip con tecnología de 7 nanómetros

El proyecto ha sido posible gracias a una inversión de IBM de 3.000 millones de dólares durante 5 años en investigación y desarrollo de chips.
IBM Business Partners Race
CIO España

IBM Research, GLOBALFOUNDRIES, Samsung y STMicroelectronics han colaborado para crear el primer prototipo de chip de la industria con tecnología de 7 nanómetros con transistores funcionales.

Los expertos de la industria consideran la tecnología de 7nm crucial para satisfacer las demandas de sistemas de cloud computing, Big Data, computación cognitiva y dispositivos móviles. Este importante logro, fruto de una asociación pública-privada de IBM con el estado de Nueva York y el desarrollo conjunto con GLOBAL FOUNDRIES, Samsung, STMicroelectronics y otros proveedores de equipamiento, ha sido posible gracias a una inversión de IBM de 3.000 millones de dólares durante 5 años en investigación y desarrollo de chips y que afianza su compromiso con la investigación e innovación en tecnología de semiconductores.

Desarrollar una tecnología de 7nm ha sido uno de los grandes retos de la industria de semiconductores, ya que resulta muy complicado alcanzar dimensiones tan pequeñas utilizando los procesos convencionales, sin degradar el rendimiento del chip ni eliminar los beneficios de escalabilidad –mayor rendimiento, menor coste y menor consumo energético. Los microprocesadores que utilizan la tecnología de 22 nm y 14 nm se utilizan para servidores, centros de datos cloud y dispositivos móviles, y la tecnología de 10 nm también está alcanzando su madurez, pero la tecnología de 7 nm había permanecido fuera del alcance debido a numerosas barreras tecnológicas.

El prototipo de chip de 7nm de IBM con transistores funcionales se ha logrado utilizando nuevos procesos de producción y técnicas pioneras de la alianza liderada por IBM Research. Su desarrollo ha requerido múltiples innovaciones, pioneras en la industria, como los transistores de canal de silicio-germanio (SiGe) y la integración a múltiples niveles de la litografía en ultravioleta extremo (EUV). 

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